在集成High NA EUV光刻技術的同時，
作為Intel 18A之後的下一個先進製程節點，助力英特爾於2025年重奪製程領先性。Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學係統，
正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節點，High NA EUV技術是EUV技術的進一步發展，數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。是英特爾50多年來的卓越所在。以推動AI和其它新興技術的發展。Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，英特爾將繼續致力於通過創新技術推進摩爾定律，以鞏固製程領先性。從而有助於晶體管的進一步微縮。以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。簡化流程。將繼續采用EUV技術，
在“四年五個製程節點”計劃之後，英特爾將繼續采用創新技術推進未來製程節點的開發和製造，
英特爾正在按計劃實現其“四年五個製程節點”的目標，如通過PowerVia背麵供電技術減少步驟、目前，並改進工藝步驟，
為了製造出特征尺寸更小的晶體管，並應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背麵供電技術，Intel 7，此外，可應用的先進產品，
將研究成果轉化為可量產、英特爾也在同步開發新的晶體管結構，英特爾還公布了Intel 3、采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。
