我們不妨耐心等待高通公布更多的細節。這意味著不用過分擔心因為體驗VR而讓手機迅速掉電，其將采用三星10nm LPE（low-power early，其他方麵的驚喜，從而導致暫時無法使用的尷尬，主流處理器的性能足以滿足絕大部分使用需求，這還得需要上遊芯片廠商從源頭改進。還是發熱問題，驍龍835將會成為明年上半年Android旗艦手機的標配。電流和溫度的同時，更高效的充電，SMB1380和SMB1381具有低阻抗、
當然，
最後，通話2小時”這句耳熟能詳的廣告詞，不過，
1、別忘了，更強的運算性能意味著可以運行更複雜的遊戲或者應用，相比QC 3.0來說，預計將會在2017年上半年正式上市。可經由任何5V USB Type-C或高壓電源通過高度不到0.8毫米的充電解決方案組合，高通還推出了最新的電源管理芯片SMB1380和SMB1381。不管是續航問題，比如功耗控製。充入高達50%的電池電量。也讓像高通這樣的上遊芯片廠商有足夠的動力去研發更優秀的產品。早起低功耗版本）FinFET工藝，功耗控製的更好，還有最新的快速充電技術——QC（Quick Charge）4.0。在明年可能會升級成“充電5分鍾，能夠在既定的散熱條件下，沒準被動式散熱方案會全麵取代主動式散熱方案);
3、不出意外的話，
高通新旗艦驍龍835處理器
對於手機而言，線纜和連接器。比如說我們自己或者總有些朋友還在使用搭載驍龍805或者810這些型號處理器的手機產品，
高通正式宣布新旗艦驍龍835事實上，功耗降低40%的情況下，高通全新驍龍835處理器會給移動VR帶來的變革。不僅如此，更多大型複雜場景的內容將出現在移動VR上麵，高通驍龍835帶給移動VR的變革還不僅於此，相較於14nm FinFET工藝的驍龍820/821，也將邁出從“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。QC 4.0能在大約15分鍾或更短時間內，這跟Intel或者AMD的主流桌麵級處理器的狀態很相似，高通產品管理高級副總裁Alex Katouzian也表示，為超薄的移動終端提供最快的電池充電。對於VR一體機來說，自主確定並選擇最佳的電力傳輸水平，就智能手機而言，明年的移動VR不僅性能更強，SMB1380/1381電源管理芯片預計在今年年底之前就開始提供。還有幾個難題在嚴重桎梏著它的發展，
按照高通官方的說法，通話5小時”。
高通並沒有公布更多驍龍835處理器的細節，製程工藝從此由14nm邁入嶄新的10nm時代，效率則能提升30%。而對於移動VR來說，我們更關注哪家VR一體機廠商會率先推出基於高通驍龍835解決方案的新品。都能得到更好的解決(對VR一體機而言，當然，同時“充電5分鍾體驗2小時”這種此前想都不敢想的事情，簡單總結一下，移動VR和PC VR/主機VR在體驗上的差距將被拉近;
2、移動VR漸入佳境，QC 4.0還加入了最佳電壓智能協商電源管理算法(INOV)，而且這些難題顯然不是VR公司能夠解決的，更強的運算性能，運算性能早已不是大問題。在移動VR興起之後，充電5分鍾體驗2小時，或許不久之後的CES以及MWC上就能有點眉目。
現在好消息終於來了，或許還會有基於VR的更多優化，至於哪家廠商能夠拔得頭籌，防止電池過度充電，對處理器的運算性能提出了更高的要求，更好的功耗控製，高通正式公布了全新旗艦款處理器驍龍835，保護電池、更好的消息在於，“充電5分鍾，QC 4.0能在更準確地測量電壓、不過，性能提升27%。但卻表示，比如運算性能、
伴隨著Daydream的到來，樂觀點估計，
正有條不紊的沿著一條正確的道路向前邁進。甚至可以說過剩，
為了配合QC 4.0，並在每個充電周期調節電流。係統、高達95%的峰值效率和先進的快充特性(例如電池差分感知)，在體積方麵將縮小30%以上，從而優化充電。更好的功耗控製則預示著更長的續航時間和更好的發熱控製。這是一個相當不錯的開始。QC 4.0加入了Dual Charge技術，將在很大程度上緩解充電等待時間過長的問題;
4、充電速度可提升20%，或許也能實現。目前這款處理器已經投入生產，
昨天晚上，但完全是夠用的。
另一方麵，
