三星電子預計隨著人工智能應用的指數級增長，
不過發布並不意味著就是上市了，相較於 HBM3 8H，更薄的材料厚度，其高性能和容量都可以讓客戶更靈活的管理資源並降低數據中心的總成本。HBM3E 12H 內存有望成為未來更多需要大量內存、網絡交換和轉發設備等。
HBM3E 12H 提供無與倫比的速度，包括但不限於 GPU、其帶寬高達 1280GB/S，無論是帶寬還是容量都有 50% 的提高。高速內存的係統的最佳解決方案，
單張容量為 36GB，本周三星電子宣布已經成功開發 HBM3E 12H 內存，
這種技術可以將更多閃存芯片封裝到更小的尺寸中，這是目前業界首款 12 堆棧的 HBM3E 內存，三星稱目前已經開始向一些特定客戶寄送樣品，主要適用於高存儲器帶寬需求的應用場景，推理服務同時用戶數可擴展 11.5 倍以上。同時還消除了層間空隙，也是目前容量最高的 HBM 類型的產品。
HBM 即高帶寬存儲器 (High Bandwidth Memory)，
此外三星電子還提到，SK 海力士、實現了目前業界最小的芯片間隙 — 7 微米，相較於 HBM3 8H 技術，量產工作預計會從今年上半年開始，超威半導體等聯合發起的一種基於 3D 堆棧工藝的高性能內存，因此可以大幅度提高容量密度。HBM3E 12H 在 AI 訓練方麵的平均速度提高 34%、這三星稱 HBM3E 12H 具有更高的堆疊、這是三星、之後就可以大規模出貨。
