三星將發布超高速32Gb DDR5內存芯片 容量翻倍且更省電

這家韓國科技巨頭還將發布一款超高速 DDR5 內存芯片。據報道，突破內存技術的極限。這是一個受歡迎的解決方案。三星電子內存產品和技術執行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產品時表示：“憑借我們的 12nm 級 32Gb DRAM，三星表示這將使功耗降低約 10%。



　　除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會議上亮相），新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產 128GB 模塊，在相同封裝尺寸下提供兩倍於 16Gb DDR5 DRAM 的容量。還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。

　　雖然三星沒有提供太多關於將在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，並且采用三星第五代 10nm 級晶圓代工節點的 Symmetric-Mosaic 架構設計，對於目前正在與人工智能不斷增長的能源需求作鬥爭的數據中心來說，

　　據悉，專門針對 DRAM 產品量身定製。”

　　之前使用 16Gb DRAM 製造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要矽通孔 (TSV) 工藝。我們已經獲得了一種解決方案，使我們能夠理想地滿足人工智能 (AI) 和大數據時代對高容量 DRAM 的日益增長的需求。我們將繼續通過差異化的工藝和設計技術開發 DRAM 解決方案，這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端內存產品。

　　三星最新的 DDR5 技術允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創建 32 GB 和 48 GB DIMM，　　2 月 5 日消息，

但我們知道，可以實現高達 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，然而，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引腳 8000Mbps，