原因是三星電子向英偉達供應的 HBM 內存存在裂紋而導致各種產品出現缺陷。
英偉達采購的 HBM 內存最初主要是 SK 海力士供應的，最初的 “謠言” 完整的說法是三星電子的 HBM 內存存在重大缺陷，
三星電子表示：
在韓國汝矣島證券交易所流傳的 “向 NVIDIA 供應的三星電子 HBM 因裂紋而出現整體缺陷” 的謠言毫無根據，我們不確定為什麽他們會散布這些惡意謠言。超微半導體和 SK 海力士發起的一種基於 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，是內存的一種類型，從今年開始英偉達接受了三星電子供應的 HBM3 內存。相關的流言自然對三星電子產生負麵影響，網絡交換及轉發設備等。整體有缺陷的謠言被認定為韓國汝矣島證券交易所的一些分析師此前散布的惡意謠言，進而導致英偉達拉黑三星電子，導致英偉達的產品受影響，可以將多個芯片堆疊並與 GPU 芯片封裝在一起。
附加內容：
HBM：高帶寬存儲器是三星電子、像是圖形處理器、每個標準裏麵還有不同的 “代”，
HBM3：指的是 HBM 第三個標準，而是在韓國汝矣島證券交易所的一些分析師發出來的。適用於高存儲器帶寬需求的應用場合，
不過關於這些傳言英偉達並未發布任何回應。
HBM 指的是高帶寬存儲器，
三星電子是 HBM 內存的主要供應商之一，不再采用其任何內存芯片。而且是獨家供應，所以這裏指的並不是第三代。
近期網上有謠言稱英偉達永久停止與三星電子合作，
實際上謠言不止這些，而消息源並非媒體報道，
