這是一種基於 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，由後者獨家供應 HBM3 內存芯片。沒有成功通過英偉達的測試。主要適用於高存儲器帶寬需求的場景組合，
注：HBM3：指的是 HBM 第三個標準，不過三星隨即發布聲明進行辟謠。所以這裏指的並不是第三代。今年 2 月就有傳聞稱三星電子向英偉達供應的 HBM 內存存在裂紋而被英偉達拉黑，
HBM 即高帶寬存儲器，
消息稱三星從去年開始就一直在嚐試通過英偉達的 HBM3 和 HBM3E 的測試，
當然英偉達有自己的測試標準，
三星在 HBM 係列內存芯片上似乎遇到了一些問題，尤其是圖形處理器、每個標準裏麵還有不同的 “代” 比如 HBM3E，
因此英偉達最初與 SK 海力士達成合作，三家供應商裏當前似乎也隻有三星電子遇到問題，那麽三星電子自然還不算是該芯片的供應商，不過從今年開始英偉達已經開始接受三星電子和美光提供的 HBM3 內存芯片，隻能看著 SK 海力士和美光了。目前英偉達的主力供應商仍然是 SK 海力士。
英偉達的 AI 加速產品都需要極高的帶寬來提高性能，可能是英偉達的要求更高所以暫時三星還不搞定技術難題，其中 8 層和 12 層的 HBM3E 芯片最近的一次失敗測試結果在 4 月公布。
現在湯森路透發布消息稱三星向英偉達供應的 HBM3 內存芯片因為存在發熱和功耗問題，
既然沒有成功通過英偉達測試，這種情況似乎也凸顯三星在 HBM 芯片上落後於 SK 海力士和美光了。三星其實也已經向其他客戶供應此類芯片，網絡交換和轉發設備。
