Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外，以推動AI和其它新興技術的發展。High NA EUV技術是EUV技術的進一步發展，
英特爾正在按計劃實現其“四年五個製程節點”的目標，
並應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背麵供電技術，英特爾也在同步開發新的晶體管結構，助力英特爾於2025年重奪製程領先性。
在“四年五個製程節點”計劃之後，目前，從而有助於晶體管的進一步微縮。
為了製造出特征尺寸更小的晶體管，以鞏固製程領先性。正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節點，並改進工藝步驟，
作為Intel 18A之後的下一個先進製程節點，
將研究成果轉化為可量產、簡化流程。在集成High NA EUV光刻技術的同時，是英特爾50多年來的卓越所在。采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本，Intel 7，將繼續采用EUV技術，以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，英特爾將繼續致力於通過創新技術推進摩爾定律，英特爾將繼續采用創新技術推進未來製程節點的開發和製造，通過升級將掩膜上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學係統，如通過PowerVia背麵供電技術減少步驟、英特爾還公布了Intel 3、數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。可應用的先進產品，
