三星攜手美企SiliconFrontlineTechnology改善3納米良率，希望趕超台積電

ESD是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一，以便於在3納米工藝上趕超台積電。幫助三星晶圓廠進行前端（front-end）工藝和芯片性能改進。該公司現在將在芯片驗證過程中使用該公司的技術。

因此希望通過和SiliconFrontlineTechnology公司合作，自5納米製程開始一直存在良率問題，量產進度陷入瓶頸。三星已經與美國的SiliconFrontlineTechnology公司合作，據報道，三星電子先進製程良率非常低，三星在芯片設計和生產過程中已經與SiliconFrontline公司合作了很長時間，這家美國公司提供芯片鑒定評估和ESD（靜電放電）預防技術。

    三星目前在4納米和5納米工藝節點上出現了與產量有關的問題，

    IT之家了解到，在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。該公司不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。並取得了令人滿意的結果。據傳三星3納米解決方案製程自量產以來，



    報道中稱，以提高其半導體芯片在生產過程中的良率，良率不超過20%，    援引韓媒Naver報道，是由製造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。